繼承東芝存儲衣缽:鎧俠閃存和固態硬盤發展

2020-07-08 17:52:48 IT產業網 分享

  即便拋開手機和電腦,當代人的一生依然離不開閃存。這項東芝在上世紀80年代的發明已經成為舉足輕重的電子元件?,F在,KIOXIA鎧俠已經繼承東芝存儲器的衣缽,并將其繼續發揚光大。

  (注:圖片僅供說明)

  NOR閃存和NAND閃存

  我們平時討論的閃存通常是指1987年問世的NAND型號閃存,NOR型閃存問世于更早的1984年。當時閃存并非唯一的電子存儲器,在此之前還有EPROM和EERPOM等類似元件, NOR閃存也屬于廣義上的EEPROM(電可擦編程只讀存儲器),但NOR閃存憑借更低成本和更高容量取代了后者。

  (注:圖片僅供說明)

  出現較晚的NAND閃存則進一步增強了低成本和大容量優勢,成為手機、固態硬盤等電子產品的理想存儲介質。除了常見數碼和IT產品之外,鎧俠還提供可供5G、物聯網、人工智能以及自動駕駛應用的UFS及eMMC芯片,它們同樣基于NAND閃存,并搭載有智能閃存控制器。

  (注:圖片僅供說明)

  NAND閃存發展和3D閃存的問世

  通過制程微縮和MLC技術,閃存的每個存儲單元體積變得更小、每個存儲單元中可容納的數據則越來越多,存儲密度不斷發展,推進閃存從工業到家庭應用的普及。

  (注:圖片僅供說明)

  不過發展到10z nm工藝和3bit per cell以后,由于物理大小的限制,已經無法通過傳統的方式繼續提高閃存密度。東芝在2007年宣布了三維(3D)閃存層疊技術,并在后來推出3D閃存:BiCS Flash。

  (注:圖片僅供說明)

  BiCS閃存具有高密度大容量的優點。由于閃存單元之間的空間遠大于傳統2D閃存,減少了單元間耦合效應,BiCS閃存的可靠性比過去更高。由于支持單次編程序列,BiCS閃存的寫入速度更快、使用功耗更低。

  (注:圖片僅供說明)

  通過提高堆疊層數,3D閃存可以獲得穩步的容量增長,2017年6月28日發布的96層BiCS FLASH在單位面積內可以提供的存儲容量大約是64層BiCS FLASH的1.4倍。使得超過1TB容量的固態硬盤價格落入大眾玩家可以承受的水平。

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  鎧俠存儲產品陣容

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